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導電型4H-SiC襯底晶片
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晶片尺寸:4~6英寸
晶片厚度:350 μm ± 15 μm
電阻率:0.015~0.024 Ω·cm
產品用途:產品主要于制造SiC電力電子
器件及SiC襯底上GaN光電子器件。
下載產品規格書
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導電型4H-SiC晶體
晶體尺寸:4~6英寸
電阻率:0.015~0.024 Ω·cm
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Email:zhangjingyao@tankeblue.cn
地址:深圳市寶安區石巖街道石龍社區石奔路6號深圳市重投天科半導體有限公司1棟辦公樓1層
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